;吴汉明在中科院力学所攻读博士研究生，他聚焦等离子体与磁流体力学。
他选择等离子体物理作为研究方向，看似与芯片制造关联较远，实则为其打开了跨学科视角。
等离子体技术是半导体制造中刻蚀、薄膜沉积等关键工艺的核心（如干法刻蚀需利用等离子体电离气体实现材料刻蚀）。
这一阶段的研究，让他提前掌握了芯片制造核心环节的底层技术原理，成为后来解决工程问题的“学术武器”。
吴汉明作为恢复高考后的首批研究生，他获得了稀缺的深造机会。
此时中国科技界百废待兴，他敏锐选择前沿的等离子体物理方向，避免了在传统学科中的内卷，为后续切入半导体这一新兴领域埋下伏笔。
20世纪70-80年代，全球半导体产业正从分立器件向集成电路转型，等离子体技术逐渐成为芯片制造的核心工艺，其研究方向与产业趋势高度契合。
吴汉明的等离子体研究虽未直接服务于芯片制造，却在国家日后发展半导体时，成为稀缺的“跨学科人才”——既能理解物理原理，又具备工程转化潜力。
这种“超前储备”使其在90年代后半导体产业崛起时，迅速成为关键技术攻关的领军者。
吴汉明的海外博士后研究，让他接触到国际前沿技术
在美国得州大学奥斯汀分校和伯克利分校的研究经历，让他接触到全球顶尖的等离子体物理实验室。
他了解到国际学术界在半导体相关领域的最新成果（如新型刻蚀技术、薄膜沉积机理）。
这种学术交流使其研究始终站在技术前沿，避免闭门造车。
吴汉明求学的数理基础→等离子体物理→半导体工艺的知识链条，使他能以“系统思维”看待芯片制造难题。
例如，在解决刻蚀均匀性问题时，他既能从等离子体密度分布的物理模型出发分析，也能结合设备工程参数进行优化。
这种“上下打通”的能力是单一学科背景研究者难以具备的。
基于求学阶段他对国际技术动态的跟踪，早在2000年代，他就意识到“摩尔定律”演进对先进制程设备的严苛要求，以及国产设备自主化的紧迫性。
这种预判使其在国家集成电路重大专项中，能够精准布局光刻机、刻蚀机等“卡脖子”领域，推动技术攻关从“跟跑”向“并跑”跨越。
吴汉明求学路径中的跨学科经验，影响了后续学术团队的培养方向。
例如，他在指导学生时，强调“理科基础+工程实践”的复合能力，培养出一批既懂物理原理、又能解决产线实际问题的复合型人才，为中国半导体产业储备了关键技术力量。
总的来说，吴汉明的求学轨迹并非线性的“专业对口”，而是通过基础学科打底、前沿方向卡位、国际视野加持，构建了独特的“技术基因”。
院士从业之路
1993年，吴汉明归国后晋在中国科学院力学研究所工作。
1994年，吴汉明被破格提升为研究员。
1995年，吴汉明到美国阿拉巴马一家公司工作，两年便研发出世界第一套可商业化的等离子体工艺模拟的软件。
1999年，吴汉明加盟英特尔，成为主任工程师。
2001年，吴汉明进入中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，担任技术总监。
2019年11月22日，吴汉明当选中国工程院院士。
2020年11月6日，吴汉明受聘为湖北大学微电子学院名誉院长。2
2024年1月，吴汉明担任浙江大学集成电路学院院长。
从业之路解码
吴汉明院士的从业经历丰富且成果丰硕，对他后来成为院士有着多方面的重要影响。
吴汉明归国后在中科院力学所工作，很快破格提升为研究员。
在力学所的工作经历，不仅为他提供了稳定的科研环境和资源支持，使他能够深入开展相关研究，也让他在国内科研界崭露头角，树立了良好的学术声誉，为后续的科研合作和项目开展奠定了基础。
吴汉明在美国阿拉巴马公司工作期间，他研发出世界第一套可商业化的等离子体工艺模拟软件。
这一成果展示了他卓越的科研能力和创新精神，使他在国际上获得了广泛关注，提升了他在相关领域的知名度和影响力，为他积累了宝贵的技术资本和国际合作经验。
吴汉明加盟英特尔担任主任工程师，英特尔作为全球半导体行业的领军企业，拥有最先进的技术和管理理念。在英特尔工作，让吴汉明有机会接触到世界顶级的芯片制造技术和工艺，深入了解行业前沿动态和发展趋势，同时也学习到了先进的企业管理经验，为他回国后推动国内集成电路产业发展提供了借鉴。
吴汉明进入中芯国际，担任技术总监等职务。
他在中芯国际组建了先进刻蚀技术工艺部，领导了0.13微米刻蚀工艺，在中国实现了用于大生产的双镶嵌法制备工艺，为中国首次实现铜互连提供了工艺基础。
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他还主持和参与了多项国家重大专项，推动了中国130 - 22纳米工艺技术研发，带领中芯国际在芯片制造技术上取得了重大突破，使中国芯片制造水平逐步缩小与国际先进水平的差距，为中国集成电路产业发展做出了卓越贡献。